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本发明公开了一种基于氮化物量子点的共振隧穿二极管器件及其制备方法，隧穿二极管核心部分是夹在氮化物势垒的GaN或者InGaN量子点，通过聚焦激光光束的照射，可以实现定位和操纵单量子态。本发明的优点在于综合氮化物的宽禁带和量子点提供的分裂能级等...
该专利属于无锡盈芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡盈芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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