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本发明涉及一种用阻变材料做隧穿层的自旋电子器件，该结构可以是磁隧道结、自旋注入构型等自旋电子结构的一部分。包括：铁磁金属电极；阻变隧穿层；铁磁金属电极或者自旋注入沟道。所述隧穿层，是在不同电压条件下电阻不同的阻变材料。包括但不限于氧化铪(H...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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