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本发明涉及一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法,该无源器件包括衬底材料,位于衬底上方的薄膜集成无源器件层,以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层;薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感,其中电感包括两个以上的信号耦合电感,层与层之间...该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法,该无源器件包括衬底材料,位于衬底上方的薄膜集成无源器件层,以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层;薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感,其中电感包括两个以上的信号耦合电感,层与层之间...