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本发明公开了一种MIM电容的制造方法，包括步骤：形成由下极板金属层、中间绝缘层和上极板金属层组成的叠层结构；对上极板金属层进行第一次金属刻蚀刻蚀并以中间绝缘层为停止层；以下极板金属层为停止层进行第二次绝缘层刻蚀去除上极板金属层外的中间绝缘层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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