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一种互连结构及其形成方法。其中，互连结构的形成方法包括提供前端器件结构，前端器件结构具有第一介质层和位于第一介质层中的导电结构；在第一介质层和导电结构上形成第一硅掺杂氮化铝层；或者，先在导电结构上形成帽盖层，然后在第一介质层和帽盖层上形成第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。