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本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制作方法，步骤包括：1)在硅衬底上通过刻蚀形成沟槽；2)在沟槽内生长沟槽层接膜；3)在沟槽内生长多晶硅，并反刻蚀，形成源极多晶硅；4)去除部分沟槽层接膜，使沟槽层接膜的高度低于源极多晶硅的高度；5)生...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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