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本发明涉及一种用于可重构全息天线的GaAs基等离子pin二极管的制备方法，该制备方法包括：选取某一晶向的GeOI衬底，在GeOI衬底上淀积GaAs层并设置隔离区；刻蚀所述衬底形成P型沟槽和N型沟槽，P型沟槽和N型沟槽的深度小于衬底的顶层Ga...
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