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本发明公开一种超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法及其生长腔室结构。该超掺杂均匀性大面积SiC外延层的制备方法在常规的LPCVD外延生长源主进气管路额外增加两个侧进气管路，通过调节两个侧进气管路通入的生长源种类与通入量的大小，结合旋转托...
该专利属于东莞市天域半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市天域半导体科技有限公司授权不得商用。

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