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本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S2，对多晶硅薄膜热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，温度由低到高，热氧化时间为78...
该专利属于河南仕佳光子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河南仕佳光子科技股份有限公司授权不得商用。

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