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本发明公开了一种8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及在低压MOS器件中的应用，属于半导体外延材料的制备技术领域，外延片厚度在20um以内，电阻率在0‑2Ω.cm之间；外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚，电阻率分布为中心向边缘逐渐走高；最低点为...
该专利属于河北普兴电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北普兴电子科技股份有限公司授权不得商用。

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