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本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法,将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理,所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪;等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号,所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号;启动所...该专利属于中微半导体设备(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中微半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种监测等离子体工艺制程的方法,将一基片放置在一等离子体处理腔室内进行等离子体处理,所述等离子体处理装置连接一入射光源和一光谱仪;等离子体在对所述基片进行处理的过程中发射背景光信号,所述背景光信号中包括波长已知的参考光信号;启动所...