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本发明涉及锰钴镍基负温度系数热敏电阻材料的均匀共沉淀制备方法。该方法首先以硫酸锰、硫酸镍、硫酸钴的两种或三种作为金属离子源，草酸二乙脂作为反应沉淀剂，氨水或氢氧化钠作为配位剂，进行化学沉淀反应，然后将沉淀产物经抽滤洗涤、干燥研磨、煅烧研磨后...
该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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