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本实用新型涉及一种AlN SAW光电集成器件，即将SAW器件、HBT放大器、PN二极管限幅器和GaAs pHEMT 低噪放通过外延层设计，实现射频接收/发射前端的器件单片集成，从而使以下设想成为可能：在未来的射频通信中，射频信号进入射频接收...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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