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本实用新型公开了一种双面晶硅太阳电池，在硅衬底的正面依次设置正面绒面结构、正面pn发射结、正面钝化减反介质层和正面电极，在硅衬底的背面依次设置背面平面结构、背面钝化减反介质层以及背面电极，其特征在于：所述背面平面结构为直接形成于硅衬底上的、...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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