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本发明公开了一种电荷自恢复驻极体薄膜的制备方法，包括S1：利用热压印方法在第一薄膜或者第二薄膜上压印出规则的凹陷图案；第一薄膜是指在电晕极化后保持负电荷的高分子薄膜，第二薄膜是指在电晕极化后保持正电荷的高分子薄膜；S2：利用电晕极化方法对第...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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