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本发明属于半导体器件设计领域，尤其是一种集成光触发一体化IGBT结构及设计方法。本发明针对现有技术存在的问题，通过设计与IGBT电路结构在同一片硅片上加工的触发控制初级电源电路、正负极性栅极电压控制电路，采用绝缘隔离的触发方法控制栅极相对源...
该专利属于中国工程物理研究院流体物理研究所;李博婷所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院流体物理研究所;李博婷授权不得商用。

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