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本发明实施例提供一种N型超晶格接触层的生长方法，包括：在衬底的上表面生长氮化镓GaN缓冲层；在所述氮化镓GAN缓冲层上生长非掺杂氮化镓U‑GaN层；在所述非掺杂氮化镓U‑GaN层上生长N型氮化镓N‑GaN层；在所述N型氮化镓N‑GaN层上生...
该专利属于圆融光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技股份有限公司授权不得商用。

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