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一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导衬底表面形成具有开口的掩膜层；沿所述开口刻蚀半导体衬底，形成第一凹槽；形成位于第一凹槽和开口内的隔离层，所述隔离层表面与掩膜层表面齐平；去除掩膜层，形成第二凹槽...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。