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自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法技术
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文档序号:15644504
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本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间,第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧...
该专利属于艾沃思宾技术公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾沃思宾技术公司授权不得商用。
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