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本发明属于半导体光电薄膜领域，具体涉及一种碳量子点负载硫氰酸亚铜(CuSCN)光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种碳量子点负载CuSCN光电薄膜及其制备方法，其特点在于，该复合薄膜是通过电化学沉积法同时实现CuSCN纳米棒阵列结构的形成和...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

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