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本发明的一种宽禁带半导体器件，包括终端结构区、有源区、以及所述有源区与所述终端结构区之间的过渡区域，所述有源区包括第一区域和第二区域，所述第一区域靠近和/或位于所述器件四周，所述第二区域靠近和/或位于所述器件中心，所述第一区域和所述第二区域...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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