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本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法，主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和Si...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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