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本发明提供了一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法，包括：第一步骤：执行ONO结构刻蚀工艺，其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体；第二步骤：执行与所述ONO结构刻蚀工艺不同的另一半导体处理工艺；第三步骤：再次执行所述ONO结构刻蚀工艺，其中采...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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