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一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用PE‑ALD法选择性生...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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