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一种降低氧化铪‑氧化硅多层膜表面粗糙度的方法，使用HfO2‑SiO2混合膜层取代多层膜中每一层纯HfO2膜层，蒸镀完SiO2膜层后，电子束同时蒸发HfO2膜料和SiO2膜料，HfO2和SiO2膜料沉积速率的比例大于4:1。本发明能够大幅降低...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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