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吴中区穹窿山天仲高分子材料技术研究所
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一种新型OLED材料制造技术
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下载一种新型OLED材料的技术资料
文档序号:15626711
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本发明涉及一种新型OLED材料,其具有如式I所示的结构,其中R选自氢原子、卤素原子、C...
该专利属于吴中区穹窿山天仲高分子材料技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过吴中区穹窿山天仲高分子材料技术研究所授权不得商用。
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