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本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底、未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、石墨烯薄膜层、N型电极、P型电极、多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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