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二极管元件及其制造方法技术
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文档序号:15621804
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本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区,而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟...
该专利属于敦南科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过敦南科技股份有限公司授权不得商用。
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