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本实用新型涉及一种碳化硅MOS管，包括衬底、衬底外延层、源区和漏区，其特征在于，源区和漏区为6价N型碳化硅；衬底为6价N型碳化硅；衬底外延层生长在衬底上，且为6价P型碳化硅；碳化硅MOS管的栅极与衬底外延层的两端连接。该碳化硅MOS管具有如...
该专利属于重庆市嘉凌新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆市嘉凌新科技有限公司授权不得商用。

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