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一种气敏层的材料为Ga2O3的CMOS气体传感器，其中CMOS气体传感器包括：衬底；位于部分衬底表面的多晶硅栅；位于部分衬底表面的多晶硅加热层；位于衬底上的介质层；位于所述介质层内的MOS器件互连结构以及传感器互连结构；位于所述介质层表面以...
该专利属于江西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过江西师范大学授权不得商用。

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