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具有外延结构的半导体元件及其制作方法技术
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文档序号:15621500
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本发明公开一种具有外延结构的半导体元件及其制作方法,该具有外延结构的半导体元件包含有一基底、一栅极结构、一间隙壁、以及多个复Σ形外延应力件。该基底包含有一第一半导体材料,该等复Σ形外延应力件分别包含该第一半导体材料与一第二半导体材料,该第二...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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