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本实用新型公开了一种具有错位排列的超结P区的高压MOSFET，包括金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层、栅氧化层、金属层B、多晶硅栅，金属层A、N+衬底、P串区、P柱区、第五层外延层、第六层外延层从下至上依次排列，...该专利属于厦门元顺微电子技术有限公司;厦门集顺半导体制造有限公司;友顺科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门元顺微电子技术有限公司;厦门集顺半导体制造有限公司;友顺科技股份有限公司授权不得商用。