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本文公开基于p‑n金属氧化物半导体(MOS)异质结构的传感器和系统。本文描述的传感器和系统可以包括感测元件，所述感测元件包括：第一区域，所述第一区域包括p型MOS材料(例如，NiO)；以及第二区域，所述第二区域包括n型MOS材料(例如，In...
该专利属于俄亥俄州创新基金会所有，仅供学习研究参考，未经过俄亥俄州创新基金会授权不得商用。

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