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本发明涉及半导体器件内部薄层热阻的测量方法。测量时将半导体器件3置于恒温平台4上，仅改变与薄层1相邻的下一层材料2的厚度d，以半导体器件3有源区为热源，对不同结构的半导体器件3进行热阻测量，通过分析测得的热阻微分结构函数曲线，得到薄层1及其...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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