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杭州士兰集成电路有限公司
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沟槽功率器件制造技术
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下载沟槽功率器件的技术资料
文档序号:15554486
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本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件,通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层,使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离,再进行接触孔刻蚀时,可以使接触孔的线宽进一步做的更小。从而在现有光刻...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。
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