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用于氮氧化物传感器的芯片制造技术
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下载用于氮氧化物传感器的芯片的技术资料
文档序号:15542609
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本发明涉及一种用于氮氧化物传感器的芯片,芯片由第一基片、第二基片、第三基片、第四基片依次层叠而成,第二基片为具有开槽的基片,包括相间隔开的第一区域和第二区域,第一区域依次设置有第一空腔、第二空腔、第三空腔、第四空腔,第三空腔设置有第一氧泵电...
该专利属于东风电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东风电子科技股份有限公司授权不得商用。
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