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具有低K金属间电介质以供减小寄生电容的MRAM集成制造技术
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下载具有低K金属间电介质以供减小寄生电容的MRAM集成的技术资料
文档序号:15530320
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具有改进的机械稳定性和减小的寄生电容的高级节点中电阻式存储器元件与逻辑元件的集成的系统和方法包括在共用集成层中形成的电阻式存储器元件和逻辑元件,该集成层在底部盖层和顶部盖层之间延伸。至少高K值的第一金属间介电(IMD2)层形成在该共用集成层...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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