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晶体管及形成晶体管的方法技术
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文档序号:15530278
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一些实施例包含一种具有漏极区域及源极区域的晶体管。导电栅极位于所述源极区域与所述漏极区域之间。第一沟道材料位于所述栅极与所述源极区域之间。所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开。第二沟道材料位于所述第一沟道材料与所述源极区域...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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