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本发明公开了一种高长径比NiS单晶纳米线阵列的制备方法，属于功能纳米材料制备技术领域。该方法以硫脲为硫源，以吡啶为反应溶剂，采用溶剂热法制备具有良好电化学性能的高长径比NiS单晶纳米线阵列。方法简单、效率高、成本低，制备的高长径比NiS单晶...
该专利属于安阳师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过安阳师范学院授权不得商用。

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