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本发明提供了一种碳化硅宝石的生长方法，通过使用蜂窝状石墨衬底，该石墨衬底一面固定在坩埚上盖上，另一面与SiC粉料相对放置，可以同时生长多个SiC单晶颗粒；当石墨坩埚放入感应加热炉中进行SiC单晶生长，生长温度1800℃‑2400℃，生长压力...
该专利属于河北同光晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光晶体有限公司授权不得商用。

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