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本发明公开了一种提高硅/金属氧化物纳米线阵列光电化学性能的方法，即对硅/金属氧化物纳米线阵列进行光电化学处理，所述方法包括在模拟太阳光照射下，将硅/金属氧化物纳米线阵列置于强碱溶液中，对硅/金属氧化物纳米线阵列施加恒定电位并持续一定时间。本...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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