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本发明涉及一种提高掺杂类金刚石膜层质量的方法，在工件上等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层之前，在所述工件周围设置屏蔽装置，所述屏蔽装置具有开口，且所述开口正对等离子体出口；在等离子体化学气相沉积掺杂类金刚膜层过中，所述屏蔽装置不随所述工件旋...
该专利属于北京师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学授权不得商用。

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