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本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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