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本发明公开一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其中，所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜，所述空穴注入层、空穴传输层、...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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