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本发明提供了有机薄膜晶体管及制备方法，有机薄膜晶体管包括基板、源漏电极层、有机半导体层、栅极绝缘层、栅电极层、有机平坦层和铟锡氧化物薄膜层。制备方法简单，在基板上形成光阻图案，然后刻蚀未被保护的基板部分，形成凹槽；去除光阻层，在凹槽中形成与...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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