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本发明涉及一种热释电弛豫单晶超薄灵敏芯片及其制备方法，其制备方法包括：对单晶片的正反面进行研磨与化学机械抛光，再在研磨与化学机械抛光后的所述单晶片正反面真空蒸镀金属膜层；制备黑化物，将所述黑化物喷涂在镀膜后的所述单晶片反面，并在所述单晶片反...
该专利属于北立传感器技术（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北立传感器技术（武汉）有限公司授权不得商用。

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