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本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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