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本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上生长缓冲层；采用非连续生长工艺在所述缓冲层上生长未掺杂的GaN层；在所述未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/Ga...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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