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公开了光电二极管器件、光电二极管探测器及其制造方法。根据实施例，一种光电二极管器件可以包括：在衬底的第一表面上生长外延层，其中，该外延层被第一类型轻掺杂，且在衬底中形成与该第一类型轻掺杂的外延层相接触的第一类型重掺杂区；从衬底的与第一表面相...
该专利属于同方威视技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过同方威视技术股份有限公司授权不得商用。

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