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本发明提供了一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池，所述方法包括以下步骤：在晶体硅片背面沉积钝化层、在钝化层上局部开口、在局部开口处沉积掺杂浆料和在背面掺杂；以及任选地，背面沉积第一金属浆料；其中，局部开口的尺寸小于沉积掺杂浆...
该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司授权不得商用。

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